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日本產業技術綜合研究所（簡稱產綜研）開發出了利用基于等離子體蝕刻（Etching）從硅塊切割硅晶圓的技術，并在“第3屆太陽光發電研究中心成果報告會”上做了報告。該成果是產綜研與東洋先進機床（ToyoAdvancedTechnologies）共同開發出來的。其原理為，在氟類氣體環境中，在板狀的Cu電極和硅塊間施加高電壓，通過Cu電極和硅塊間出現的等離子體生成氟，利用氟對硅進行蝕刻。使用厚度80μm的Cu電極切斷截面5mm見方的硅塊時的切割寬度為100μm，切割速度為1.3μm秒。報告會上還披露了2枚電極同時切割的結果。晶圓厚度和切割寬度均為100μm。產綜研表示，今后將通過Cu電極的位置和電壓施加方法的優化，來推進切割速度的提高等改進。現有的采用鋼絲和磨粒的切削，切割寬度多為180μm左右。一般認為，為保持所能承受的切割強度，鋼絲直徑的減小有一定的限度，所以100μm以下的切割寬度很難實現。為了解決上述問題，除此次的等離子體蝕刻外，利用鋼絲的放電進行切割的技術開發也正在進行之中。
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