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隨著芯片制造商開始在市場上推進10nm7nm技術，供應商也在為下一代3nm晶體管類型的開發做準備。有些公司已經宣布了3nm工藝的具體計劃，但向3nm節點的過渡預計將是一個漫長而坎坷的過程，充滿了一系列技術和成本方面的挑戰。例如，3nm芯片的設計成本可能會超過10億美元之巨！此外，3nm也存在一些不確定因素，這些不確定因素可能在一夜之間改變一切。然而，這并未讓任何廠商缺席。三星和GlobalFoundries分別宣布計劃開發一種新的晶體管技術，稱為nanosheetFET，即所謂3nm的可變柵寬度技術。例如，三星希望在2019年之前推出PDK（V0.01版），并計劃在2021年投入生產。與此同時，臺積電正在研發3nm的nanosheetFET及其相關技術nanowireFET，但臺積電尚未公布最終計劃。與此同時，英特爾尚未談到它的計劃。晶體管在芯片中起開關的作用。目前最前沿的晶體管工藝finFET已經發展到了16nm14nm和10nm7nm。2020年前后，預計5nmfinFET將會出現，但是除非有新的突破，否則finFET可能會止步于3nm。
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